Вчені з Фуданьського Університету встановили новий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши флеш-пам’ять PoX, яка може зберігати дані швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей енергонезалежний пристрій перевершує навіть найшвидші сучасні технології, такі як SRAM і DRAM, яким потрібно від 1 до 10 наносекунд для запису одного біта. Завдяки використанню алгоритмів штучного інтелекту вчені змогли значно прискорити розвиток технології. Команда вчених зараз працює над тим, як перетворити цей пристрій на комерційний продукт. Результати дослідження були опубліковані у журналі Nature.
