Китайські вчені представили найшвидший у світі носій флеш-пам’яті
Вчені з Фуданьського Університету встановили новий рекорд для напівпровідникових накопичувачів, розробивши флеш-пам’ять PoX, яка може зберігати дані швидкістю один біт за 400 пікосекунд. Цей енергонезалежний пристрій перевершує навіть найшвидші сучасні технології, такі як SRAM і DRAM, яким потрібно від 1 до 10 наносекунд для запису одного біта. Завдяки використанню алгоритмів штучного інтелекту вчені змогли значно […]
Читати новину